用于直接觀察導電、不導電樣品的表面形貌。用于金屬、半導體、電介質(zhì)、多層膜結構等固體樣品上制備微納結構。離子束刻蝕、離子束沉積、電子束沉積。高質(zhì)量定點TEM樣品制備。同時配有納米操作手、能譜儀，可以實現(xiàn)操縱和能譜分析。電子束成像分辨率0.8 nm，離子束成像分辨率4 nm，加工精度5 nm。
